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【问答题】

解释导带、满带、价带和带隙。

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第1题

[简答题] 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：（1）禁带宽度；（2）导带底电子有效质量；（3）价带顶电子有效质量；（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

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第2题

[简答题] 什么是满带、导带和禁带？

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第3题

[填空题] 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。

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第4题

[单选题] 导带忠的电子和价带忠的空穴复合时主要以（）释放能量。

A、辐射复合 B、俄歇复合 C、通过复合中心复合 D、以上三种都可以

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第5题

[简答题] 已知硅的导带及其价带的有效态密度Nn，Np在室温（300K）时分别为2.8×1019cm-3，1.15×1019cm-3。试计算电子的有效质量mn及空穴的有效质量mp。已知h=6.63×10-34Js，kB=1.38×10-23J/K。

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第6题

[] 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

A、设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：

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第7题

[简答题] 直接带隙和间接带隙半导体有哪些区别？并分别给出一个实际的例子。

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第8题

[判断题] 要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。

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第9题

[简答题] 某种金属的导带底部的有效质量倒数张量为其中αyz=αzy。（1）求有效质量张量。（2）确定导带底部附近的能带。

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