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【简答题】

直接带隙和间接带隙半导体有哪些区别？并分别给出一个实际的例子。

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第1题
[判断题] 要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。

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第2题
[填空题] 随着半导体粒子尺寸的减小，其带隙增加，相应的吸收光谱和荧光光谱将向（）方向移动，即（）。

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第3题
[判断题] N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

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第4题
[填空题] 施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。

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第5题
[单选题] P型半导体和N型半导体中都有载流子，但就半导体器件本身都是（）

A、不带电的  B、带正点的  C、带负电的  

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第6题
[判断题] N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

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第7题
[填空题] 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。

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第8题
[单选题] N型半导体（），P型半导体（）。

A、带正电，带负电  B、带负电，带正电  C、呈中性，呈中性  

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第9题
[判断题] P型半导体带正电，N型半导体带负电。

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