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【填空题】

施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。

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第1题

[] 若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算 ①99%电离； ②90%电离； ③50%电离时温度各为多少？

A、若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算 B、①99%电离； C、②90%电离； D、③50%电离时温度各为多少？

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第2题

[简答题] 若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV，施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3及1017cm-3。计算 ①99%电离； ②90%电离； ③50%电离时温度各为多少？

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第3题

[简答题] 有一半导体硅样品，施主浓度为ND=2×1014/cm3，受主浓度为NA=1×1014/cm3，已知施主电离能为ΔE0=0.05eV，试求：99%的施主杂质电离时的温度。

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第4题

[判断题] 在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中，由于受主能级比施主能级低得多，施主能级上的电子首先要去填充受主能级，使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱，这种现象称为杂质补偿。

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第5题

[简答题] 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量m*n=0.015m0，m0为电子的惯性质量，求 ①施主杂质的电离能， ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

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第6题

[] 有一块掺磷的n型硅，ND=1015cm-3，分别计算温度为①77K；②300K；③500K；④800K时导带中电子浓度。

A、若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算 B、①99%电离； C、②90%电离； D、③50%电离时温度各为多少？

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第7题

[简答题] 一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度NA=1×1015cm2，室温下测其费米能级，恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为n0=5×1015cm3，已知室温下硅的本征载流子密度为n=1.5×1015cm3，试求：（1）平衡少子的密度（2）材料中施主杂质的密度（3）电离杂质和中性杂质的密度

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第8题

[] 以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。

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第9题

[单选题] 当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。

A、1 B、1/2 C、1/3 D、2/3

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