【简答题】
查看正确答案A、在制造硅半导体器体中，常使硼扩散到硅单晶中，若在1600K温度下，保持硼在硅单晶表面的浓度恒定（恒定源半无限扩散），要求距表面10-3cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半，问需要多长时间（已知D<sub>1600℃sub>＝8×10-12cm2/s；当
时，
）？
搜题
更多“有一半导体硅样品，施主浓度为N<sub>D</sub>=2×10<sup>14</sup>/cm<sup>3</sup>，受主浓度为N<sub>A</sub>=1×10<sup>14</sup>/cm<sup>3</sup>，已知施主电离能为ΔE<sub>0</sub>=0.05eV，试求：99%的施主杂质电离时的温度。”相关的问题
第1题
第7题
A、若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算 B、①99%电离； C、②90%电离； D、③50%电离时温度各为多少？
第8题
A、E<sub>csub> B、E<sub>vsub> C、E<sub>gsub> D、E<sub>Fsub>
第9题
A、N<sub>2sub> B、O<sub>2sub> C、CO<sub>2sub> D、H<sub>2sub>O
