【问答题】
<p> 在制造硅半导体器体中，常使硼扩散到硅单晶中，若在1600K温度下，保持硼在硅单晶表面的浓度恒定（恒定源半无限扩散），要求距表面10<sup>-3</sup>cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半，问需要多长时间（已知D<sub>1600℃</sub>＝8×10<sup>-12</sup>cm<sup>2</sup>/s；当<img src="https://img.ppkao.com/2019-04/wuzhiwei/2019042517145829819.jpg" />时，<img src="https://img.ppkao.com/2019-04/wuzhiwei/2019042517150170872.jpg" />）？</p>
A、在制造硅半导体器体中，常使硼扩散到硅单晶中，若在1600K温度下，保持硼在硅单晶表面的浓度恒定（恒定源半无限扩散），要求距表面10-3cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半，问需要多长时间（已知D1600℃＝8×10-12cm2/s；当
时，
）？
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