有一块掺磷的n型硅,N<sub>D</sub>=10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,分别计算温度为①77K;②300K;③500K;④800K时导带中电子浓度。
A、若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV,施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算
B、①99%电离;
C、②90%电离;
D、③50%电离时温度各为多少?
A、若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV,施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算
B、①99%电离;
C、②90%电离;
D、③50%电离时温度各为多少?
A、n<sub>bsub>>4.0,n<sub>ssub>>3.0 B、n<sub>bsub>>3.0,n<sub>ssub>>1.6 C、n<sub>bsub>>3.0,n<sub>ssub>>4.0 D、n<sub>bsub>>1.6,n<sub>ssub>>3.0
A、(n<sub>0sub>-n)/n B、(n-n<sub>0sub>)/n C、(n<sub>0sub>-n)/n<sub>0sub> D、(n-n<sub>0sub>)/n<sub>0sub>
A、 S<sub>N-1sub> B、 S<sub>N-2sub> C、 S<sub>Nsub> D、 S<sub>N+1sub>
A、按最大N与最大M的内力组合计算A<sub>ssub>和A<sub>ssub> B、按最大N与最小M的内力组合计算A<sub>ssub>,而按最大N与最大M的内力组合计算Aˊ<sub>ssub> C、按最大N与最大M的内力组合计算A<sub>ssub>,而按最大N与最小M的内力组合计算A<sub>ssub>
A、O(g(n))={f(n)∣存在正常数c和n<sub>0sub>使得对所有n≧n<sub>0sub>有:0≦f(n)≦cg(n)} B、O(g(n))={f(n)∣存在正常数c和n<sub>0sub>使得对所有n≧0有:0≦g(n)≦(n)} C、O(g(n))={f(n)∣对于任何正常数c>0,存在正数和n<sub>0sub>>0使得对所有n≧n<sub>0sub>有:0≦f(n)<cg(n)} D、O(g(n))={f(n)∣对于任何正常数c>0,存在正数和n<sub>0sub>>0使得对所有n≧n<sub>0sub>有:0≦cg(n)<f(n)}
A、O(g(n))={f(n)∣存在正常数c和n<sub>0sub>使得对所有n≧n<sub>0sub>有:0≦f(n)≦cg(n)} B、O(g(n))={f(n)∣存在正常数c和n<sub>0sub>使得对所有n≧0有:0≦g(n)≦(n)} C、O(g(n))={f(n)∣对于任何正常数c>0,存在正数和n<sub>0sub>>0使得对所有n≧n<sub>0sub>有:0≦f(n)<cg(n)} D、O(g(n))={f(n)∣对于任何正常数c>0,存在正数和n<sub>0sub>>0使得对所有n≧n<sub>0sub>有:0≦cg(n)<f(n)}