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【简答题】

掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。

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第1题

[] 有一块掺磷的n型硅，ND=1015cm-3，分别计算温度为①77K；②300K；③500K；④800K时导带中电子浓度。

A、若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算  B、①99%电离；  C、②90%电离；  D、③50%电离时温度各为多少？  

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第2题

[] 求室温下掺锑的n型硅，使EF=（EC+ED）/2时锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。

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第3题

[简答题] 已知ND=1.69×1018cm3，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？

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第4题

[简答题] 在掺入硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温下电阻率为2.84Ω˙cm，已知所掺硼的浓度Na1=101610/cm3，硼的电离能Ea1-Ev=0.045eV，铟的电离能Ea2-Ev=0.16eV，求样品中铟的浓度。Nv=1.04×1019/cm3，μp=200cm2/v˙s。

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第5题

[简答题] OH分子于1964年在星际空间被发现。已知OH的第一电离能为13.2eV，HF的第一电离能为16.05eV，它们的差值几乎和O原子与F原子的第一电离能（15.8eV和18.6eV）的差值相同，为什么？

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第6题

[简答题] 有一半导体硅样品，施主浓度为ND=2×1014/cm3，受主浓度为NA=1×1014/cm3，已知施主电离能为ΔE0=0.05eV，试求：99%的施主杂质电离时的温度。

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第7题

[] 若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算 ①99%电离； ②90%电离； ③50%电离时温度各为多少？

A、若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算  B、①99%电离；  C、②90%电离；  D、③50%电离时温度各为多少？  

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第8题

[单选题] 使氢原子中电子从n=3的状态电离，至少需要供给的能量为（）（已知基态氢原子的电离能为13.6eV）。

A、-12.1eV  B、12.1eV  C、1.51eV  D、-1.51eV  

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第9题

[简答题] 若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV，施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3及1017cm-3。计算 ①99%电离； ②90%电离； ③50%电离时温度各为多少？

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