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提问人：网友 发布时间：
【简答题】

在掺入硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温下电阻率为2.84Ω˙cm，已知所掺硼的浓度N<sub>a1</sub>=10<sup>16</sup>10/cm<sup>3</sup>，硼的电离能E<sub>a1</sub>-Ev=0.045eV，铟的电离能E<sub>a2</sub>-Ev=0.16eV，求样品中铟的浓度。Nv=1.04×10<sup>19</sup>/cm<sup>3</sup>，μ<sub>p</sub>=200cm<sup>2</sup>/v˙s。

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第1题
[简答题] 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2×1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

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第2题
[] 在制造硅半导体器体中，常使硼扩散到硅单晶中，若在1600K温度下，保持硼在硅单晶表面的浓度恒定（恒定源半无限扩散），要求距表面10-3cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半，问需要多长时间（已知D1600℃＝8×10-12cm2/s；当时，）？

A、在制造硅半导体器体中，常使硼扩散到硅单晶中，若在1600K温度下，保持硼在硅单晶表面的浓度恒定（恒定源半无限扩散），要求距表面10p>-3p>cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半，问需要多长时间（已知D1600℃＝8×10p>-12p>cmp>2p>/s；当时，）？&nbsp;&nbsp;

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第3题
[简答题] 若P型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？若n型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？

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第4题
[单选题] 纯净半导体中掺入（），就叫做p型半导。

A、硅&nbsp;&nbsp;B、锗&nbsp;&nbsp;C、硼&nbsp;&nbsp;D、磷&nbsp;&nbsp;

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第5题
[简答题] 现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3 （1）分别计算这三个样品的电子浓度 （2）判别这三个样品的导电类型&ensp; （3）计算这三个样品的费米能级的位置

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第6题
[单选题] 2CZ54D是（）。

A、N型硅整流二极管&nbsp;&nbsp;B、P型锗整流二极管&nbsp;&nbsp;C、N型硅整流稳压二极管&nbsp;&nbsp;D、P型锗整流开关二极管&nbsp;&nbsp;

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第7题
[单选题] 在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。

A、锗&nbsp;&nbsp;B、磷&nbsp;&nbsp;C、硼&nbsp;&nbsp;D、锡&nbsp;&nbsp;

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第8题
[单选题] 据《刑法修正案（八）》规定，在生产、销售的食品中（），处五年以下有期徒刑并处罚金。

A、掺入有毒.有害的非食品原料的，或者销售明知掺有有毒.仃害的非食品原料的食品的&nbsp;&nbsp;B、掺入有毒.有害的非食品原料，造成食物中毒事故的&nbsp;&nbsp;C、任意使用食品添加剂，造成严重后果的&nbsp;&nbsp;D、掺入有毒.有害的食品原料，致人死亡的&nbsp;&nbsp;

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第9题
[单选题] 在纯净半导体内掺入适量的硼元素后，整个半导体（）。

A、空穴的浓度大大高于自由电子的浓度&nbsp;&nbsp;B、自由电子的浓度大大高于空穴的浓度&nbsp;&nbsp;C、空穴和自由电子的浓度不变&nbsp;&nbsp;

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