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【问答题】

以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。

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第1题

[] 若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算 ①99%电离； ②90%电离； ③50%电离时温度各为多少？

A、若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算 B、①99%电离； C、②90%电离； D、③50%电离时温度各为多少？

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第2题

[简答题] 若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV，施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3及1017cm-3。计算 ①99%电离； ②90%电离； ③50%电离时温度各为多少？

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第3题

[] 有一块掺磷的n型硅，ND=1015cm-3，分别计算温度为①77K；②300K；③500K；④800K时导带中电子浓度。

A、若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算 B、①99%电离； C、②90%电离； D、③50%电离时温度各为多少？

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第4题

[简答题] 有一半导体硅样品，施主浓度为ND=2×1014/cm3，受主浓度为NA=1×1014/cm3，已知施主电离能为ΔE0=0.05eV，试求：99%的施主杂质电离时的温度。

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第5题

[填空题] 施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。

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第6题

[简答题] 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量m*n=0.015m0，m0为电子的惯性质量，求 ①施主杂质的电离能， ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

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第7题

[单选题] 施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（）

A、杂质电离 B、杂质补偿 C、载流子复合 D、载流子迁移

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第8题

[简答题] 一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度NA=1×1015cm2，室温下测其费米能级，恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为n0=5×1015cm3，已知室温下硅的本征载流子密度为n=1.5×1015cm3，试求：（1）平衡少子的密度（2）材料中施主杂质的密度（3）电离杂质和中性杂质的密度

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第9题

[简答题] 掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。

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