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【单选题】

施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（）

A、杂质电离

B、杂质补偿

C、载流子复合

D、载流子迁移

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第1题

[判断题] 在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中，由于受主能级比施主能级低得多，施主能级上的电子首先要去填充受主能级，使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱，这种现象称为杂质补偿。

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第2题

[填空题] SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。

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第3题

[简答题] 一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度NA=1×1015cm2，室温下测其费米能级，恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为n0=5×1015cm3，已知室温下硅的本征载流子密度为n=1.5×1015cm3，试求：（1）平衡少子的密度（2）材料中施主杂质的密度（3）电离杂质和中性杂质的密度

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第4题

[简答题] 计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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第5题

[简答题] 有一半导体硅样品，施主浓度为ND=2×1014/cm3，受主浓度为NA=1×1014/cm3，已知施主电离能为ΔE0=0.05eV，试求：99%的施主杂质电离时的温度。

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第6题

[填空题] 施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。

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第7题

[简答题] 若P型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？若n型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？

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第8题

[简答题] 举例说明什么是受主杂质，什么是p型半导体？

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第9题

[简答题] 磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数εr=11.1，空穴的有效质量m*p=0.86m0，m0为电子的惯性质量，求 ①受主杂质电离能； ②受主束缚的空穴的基态轨道半径。

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