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提问人：网友 发布时间：
【简答题】

计算含有施主杂质浓度为N<sub>D</sub>=9×10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>，及受主杂质浓度为1.1×10<sup>16</sup>cm<sup>3</sup>的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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第1题
[] 若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算 ①99%电离； ②90%电离； ③50%电离时温度各为多少？

A、若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算&nbsp;&nbsp;B、①99%电离；&nbsp;&nbsp;C、②90%电离；&nbsp;&nbsp;D、③50%电离时温度各为多少？&nbsp;&nbsp;

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第2题
[] 有一块掺磷的n型硅，ND=1015cm-3，分别计算温度为①77K；②300K；③500K；④800K时导带中电子浓度。

A、若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算&nbsp;&nbsp;B、①99%电离；&nbsp;&nbsp;C、②90%电离；&nbsp;&nbsp;D、③50%电离时温度各为多少？&nbsp;&nbsp;

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第3题
[简答题] 若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV，施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3及1017cm-3。计算 ①99%电离； ②90%电离； ③50%电离时温度各为多少？

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第4题
[简答题] 施主浓度为1013cm3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。

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第5题
[] 以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。

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第6题
[简答题] 有一半导体硅样品，施主浓度为ND=2×1014/cm3，受主浓度为NA=1×1014/cm3，已知施主电离能为ΔE0=0.05eV，试求：99%的施主杂质电离时的温度。

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第7题
[简答题] 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。 设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.6×1015cm-3，计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

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第8题
[判断题] 在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中，由于受主能级比施主能级低得多，施主能级上的电子首先要去填充受主能级，使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱，这种现象称为杂质补偿。

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第9题
[简答题] 已知本征锗的电导率在310K时为3.56×10-2S/cm，在273K时为0.42×10-2S/cm，一个n型锗样品，在上述两个温度时，其施主杂质浓度ND=1015/cm3。计算在上述两个温度n型锗样品的电导率。μn=3600cm2/v˙s，μp=1700cm2/v˙s。

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