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【填空题】

如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。

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第1题

[简答题] 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：（1）禁带宽度；（2）导带底电子有效质量；（3）价带顶电子有效质量；（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

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第2题

[简答题] 某半导体晶体价带顶附近能量E可以表示为，E（k）=Emax-10-26k2，现将其中一波矢为107/icm的电子移走，求此电子留下的空穴的有效质量，波矢及速度。

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第3题

[] 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

A、设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：

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第4题

[单选题] 重空穴指的是（）。

A、质量较大的原子形成的半导体产生的空穴 B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D、自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴

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第5题

[多选题] 原子的K层电子被逐出后形成空穴，被L层电子跃迁到K层填充，辐射出的X射线叫（）射线，由M层跃迁到K层辐射的X射线叫（）射线。

A、Lα B、Kα C、Lβ D、Kβ

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第6题

[简答题] 已知硅的导带及其价带的有效态密度Nn，Np在室温（300K）时分别为2.8×1019cm-3，1.15×1019cm-3。试计算电子的有效质量mn及空穴的有效质量mp。已知h=6.63×10-34Js，kB=1.38×10-23J/K。

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第7题

[单选题] 基础的“埋深”是指（）

A、从室外设计地面到基础顶面的深度 B、从室外设计地面到基础底面的深度 C、从室内设计地面到基础顶面的深度 D、从室内设计地面到基础底面的深度

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第8题

[单选题] 导带忠的电子和价带忠的空穴复合时主要以（）释放能量。

A、辐射复合 B、俄歇复合 C、通过复合中心复合 D、以上三种都可以

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第9题

[简答题] 用紧束缚近似计算最近邻近似下一维晶格s态电子能带，画出E（k），m（k）与波矢的关系，证明只有在原点和布里渊区边界附近，有效质量才和波矢无关。

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