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【单选题】

导带忠的电子和价带忠的空穴复合时主要以（）释放能量。

A、辐射复合

B、俄歇复合

C、通过复合中心复合

D、以上三种都可以

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第1题

[简答题] 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：（1）禁带宽度；（2）导带底电子有效质量；（3）价带顶电子有效质量；（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

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第2题

[] 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

A、设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：

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第3题

[简答题] 已知硅的导带及其价带的有效态密度Nn，Np在室温（300K）时分别为2.8×1019cm-3，1.15×1019cm-3。试计算电子的有效质量mn及空穴的有效质量mp。已知h=6.63×10-34Js，kB=1.38×10-23J/K。

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第4题

[判断题] 先秦君子公忠和私忠的内涵属于其日常生活和政治外交行动的原则之一。

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第5题

[单选题] 重空穴指的是（）。

A、质量较大的原子形成的半导体产生的空穴 B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D、自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴

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第6题

[填空题] 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。

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第7题

[填空题] 施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。

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第8题

[判断题] 孝是忠的基石，忠是孝的发展，在必要的情况下可以“移孝作忠”（又称“夺情”）。

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第9题

[判断题] 弘光政权提出一个联合清朝共同进攻李自成、张献忠的策略。

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