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【判断题】

对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。

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更多“对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。”相关的问题

第1题

[填空题] 在P型衬底上画nmos器件时需要在P型衬底上加（），并用金属线把这个（）与P型衬底内的（）电位相连接。

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第2题

[单选题] NMOS器件的衬底是（）型半导体。

A、N型  B、P型  C、本征型  D、耗尽型  

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第3题

[] 简述P衬底N阱CMOS的工艺流程。

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第4题

[填空题] 现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺，即最基本的器件是由（）和NMOS组成。

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第5题

[填空题] CMOS工艺中，之所以要将衬底或井接到电源或地上，是因为（）

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第6题

[简答题] 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

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第7题

[多选题] 单极型集成电路可分为（）几种。

A、TTL型  B、TDK型  C、PMOS型  D、NMOS型  E、CMOS型  

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第8题

[多选题] 单极型集成电路可分为（）几种。

A、TTL型  B、TDK型  C、PMOS型  D、NMOS型  E、CMOS型  

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第9题

[单选题] 51单片机采用的生产工艺是（）。

A、CMOS  B、HMOS  C、NMOS  D、CHMOS  

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