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【问答题】

简述P衬底N阱CMOS的工艺流程。

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第1题

[判断题] 对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。

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第2题

[简答题] P阱CMOS与N阱CMOS相比有什么不同？

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第3题

[单选题] NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。

A、P阱，P沟  B、P阱、N沟  C、N阱、N沟  D、N阱、P沟  

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第4题

[简答题] 简述3.0μm CMOS集成电路工艺技术工艺流程。

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第5题

[填空题] CMOS工艺中，之所以要将衬底或井接到电源或地上，是因为（）

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第6题

[简答题] 简述硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系。

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第7题

[简答题] 请从工艺流程、工艺条件、烧毛次数、注意事项等方面简述气体烧毛机烧毛工艺。

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第8题

[多选题] 下列哪些属于ERC错误的有（）

A、浮动衬底  B、P衬底接到GND上  C、N井接到GND上  D、电路短路  

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第9题

[简答题] 简述CMOS模拟集成电路的版图设计流程。

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