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【单选题】

NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。

A、P阱，P沟

B、P阱、N沟

C、N阱、N沟

D、N阱、P沟

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更多“NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。”相关的问题

第1题

[判断题] NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。

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第2题

[单选题] 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。

A、P沟道耗尽型MOS管 B、N沟道增强型MOS管 C、P沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管

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第3题

[填空题] 场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。

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第4题

[单选题] 当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。

A、JFET B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管 D、NMOS管

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第5题

[单选题] 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

A、N沟道JFET B、增强~AIPMOS管 C、耗尽型NMOS管 D、耗尽型PMOS管

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第6题

[] 耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道，在（）时，即可形成ID。

A、A、UGS＞UT B、B、UGS＜UT C、C、UGS=0 D、D、UGS＜UP

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第7题

[填空题] CMOS集成电路是由增强型（）管和（）型NMOS管组成的互补对称MOS门电路，其中CC4000系列和高速系列是它的主要子系列。

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第8题

[填空题] PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。

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第9题

[判断题] PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。

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