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【判断题】

NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。

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第1题

[判断题] PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。

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第2题

[单选题] NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。

A、P阱，P沟  B、P阱、N沟  C、N阱、N沟  D、N阱、P沟  

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第3题

[填空题] PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。

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第4题

[单选题] 功率场效应晶体管一般是（）。

A、N沟道耗尽型  B、N沟道增强型  C、P沟道增强型  D、P沟道耗尽型  

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第5题

[单选题] NMOS源漏的掺杂类型分别为（）

A、P+、P+  B、P+，N+  C、N+，N+  D、N+，P+  

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第6题

[填空题] 场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。

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第7题

[单选题] 题6图所示特性曲线是（）

A、P沟道增强型管的转移特性  B、P沟道耗尽型管的转移特性  C、N沟道增强型管的转移特性  D、N沟道耗尽型管的转移特性  

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第8题

[单选题] 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

A、N沟道JFET  B、增强~AIPMOS管  C、耗尽型NMOS管  D、耗尽型PMOS管  

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第9题

[单选题] 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。

A、P沟道耗尽型MOS管  B、N沟道增强型MOS管  C、P沟道增强型MOS管  D、N沟道耗尽型MOS管  

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