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【单选题】

功率场效应晶体管一般是（）。

A、N沟道耗尽型

B、N沟道增强型

C、P沟道增强型

D、P沟道耗尽型

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第1题

[填空题] 请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

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第2题

[填空题] 请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

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第3题

[单选题] 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。

A、均为电压控制 B、均为电流控制 C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制 D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制

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第4题

[单选题] IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。

A、绝缘栅场效应管 B、结型场效应管 C、绝缘栅双极晶体管 D、双极型功率晶体管

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第5题

[单选题] 高性能的高压变频调速装置的主电路开关器件采用（）。

A、快速恢复二极管理体制 B、绝缘栅双极晶体管 C、电力晶体管 D、功率场效应晶体管

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第6题

[多选题] 下列不是高性能的高压变频器调速装置的主电路开关器件采用的是（）。

A、功率场效应晶体管 B、绝缘栅双极晶体管 C、电力晶体管 D、三极管

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第7题

[判断题] 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。

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第8题

[判断题] TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。

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第9题

[单选题] 绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。

A、晶闸管 B、单结晶体管 C、电力场效应管 D、电力晶体管和电力场效应管

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第10题

[单选题] 绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。

A、晶闸管 B、单结晶体管 C、电力场效应管 D、电力晶体管和电力场效应管

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