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【单选题】

下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

A、N沟道JFET

B、增强~AIPMOS管

C、耗尽型NMOS管

D、耗尽型PMOS管

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第1题

[填空题] 场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。

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第2题

[单选题] 在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）

A、体内场效应而工作的 B、表面场效应而工作的 C、载流子导电而工作的

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第3题

[单选题] D沟道型场效应管中的载流子是（）

A、自由电子 B、空穴 C、电子和空穴 D、带电离子

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第4题

[单选题] 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。

A、P沟道耗尽型MOS管 B、N沟道增强型MOS管 C、P沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管

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第5题

[单选题] 更具结构不同，场效应管分为（）

A、N沟道和P沟道场效应管 B、NPN和PNP型场效应 C、MOS管和MNS管 D、结构和绝缘栅场效应管

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第6题

[] 如图所示，绝缘栅型场效应管的类型（）如图所示，绝缘栅型场效应管的类型（）

A、A.①是N沟道增强型 B、B.②是P沟道增强型 C、C.③是P沟道耗尽型 D、D.④是P沟道耗尽型

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第7题

[单选题] 已知某场效应管的输出特性如题8图所示，则该场效应管的类型是（）。

A、P沟道增强型 B、N沟道增强型 C、P沟道耗尽型 D、N沟道耗尽型

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第8题

[] 耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道，在（）时，即可形成ID。

A、A、UGS＞UT B、B、UGS＜UT C、C、UGS=0 D、D、UGS＜UP

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第9题

[单选题] 如图所示，场效应管的类型（）

A、①是N沟道结型 B、②是N沟道结型

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