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【单选题】

D沟道型场效应管中的载流子是（）

A、自由电子

B、空穴

C、电子和空穴

D、带电离子

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第1题

[单选题] 在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）

A、体内场效应而工作的 B、表面场效应而工作的 C、载流子导电而工作的

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第2题

[判断题] 晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。

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第3题

[单选题] 场效应管参与导电的载流子是（）。

A、电子 B、空穴 C、多数载流子 D、少数载流子

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第4题

[单选题] 下面说法错误的是：场效应管（）。

A、也称为双极型晶体管 B、也称为单极型晶体管 C、的载流子只通过一种极性的半导体 D、是利用多数载流子导电的器件

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第5题

[填空题] N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

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第6题

[填空题] P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

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第7题

[] 如图所示，绝缘栅型场效应管的类型（）如图所示，绝缘栅型场效应管的类型（）

A、A.①是N沟道增强型 B、B.②是P沟道增强型 C、C.③是P沟道耗尽型 D、D.④是P沟道耗尽型

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第8题

[填空题] （）效应是少数载流子到店的光电效应，而（）效应是多数载流子到店的光电效应。

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第9题

[] 下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）

A、A.仅自由电子是载流子 B、B.仅空穴是载流子 C、C.自由电子和空穴都是载流子 D、D.三价杂质离子也是载流子

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