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【单项选择题】

耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道，在（）时，即可形成I<sub>D</sub>。

A、A、UGS＞UT

B、B、UGS＜UT

C、C、UGS=0

D、D、UGS＜UP

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更多“耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道，在（）时，即可形成I<sub>D</sub>。”相关的问题

第1题

[单选题] 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

A、N沟道JFET B、增强~AIPMOS管 C、耗尽型NMOS管 D、耗尽型PMOS管

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第2题

[填空题] 场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。

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第3题

[单选题] 功率场效应晶体管一般是（）。

A、N沟道耗尽型 B、N沟道增强型 C、P沟道增强型 D、P沟道耗尽型

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第4题

[] 如图所示，绝缘栅型场效应管的类型（）如图所示，绝缘栅型场效应管的类型（）

A、A.①是N沟道增强型 B、B.②是P沟道增强型 C、C.③是P沟道耗尽型 D、D.④是P沟道耗尽型

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第5题

[单选题] 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。

A、P沟道耗尽型MOS管 B、N沟道增强型MOS管 C、P沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管

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第6题

[单选题] 已知某场效应管的输出特性如题8图所示，则该场效应管的类型是（）。

A、P沟道增强型 B、N沟道增强型 C、P沟道耗尽型 D、N沟道耗尽型

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第7题

[] 结型场效应管可分为（）。

A、A.MOS管和MNS管 B、B.N沟道和P沟道 C、C.增强型和耗尽型 D、D.NPN型和PNP型

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第8题

[简答题] 由N沟道耗尽型场效应管组成的电路如下图所示。设UGSQ=-0.2V, Gm=1.2ms。试求：电路中的静态工作点IDQ和UGSQ之值

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第9题

[多选题] 按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）

A、耗尽型 B、增强型 C、P沟道 D、N沟道

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