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提问人:网友 发布时间:
【简答题】

由N沟道耗尽型场效应管组成的电路如下图所示。设U<sub>GSQ</sub>=-0.2V,&ensp;G<sub>m</sub>=1.2ms。试求: <img src="https://nimg.ppkao.com/2019-04/wangjing/2019042615361087114.jpg?sign=1bcf72066bd43f6437841483cae4042f&t=62d58900" /> 电路中的静态工作点I<sub>DQ</sub>和U<sub>GSQ</sub>之值

更多“ 由N沟道耗尽型场效应管组成的电路如下图所示。设U<sub>GSQ</sub>=-0.2V,&ensp;G<sub>m</sub>=1.2ms。试求: <img src="https://nimg.ppkao.com/2019-04/wangjing/2019042615361087114.jpg?sign=1bcf72066bd43f6437841483cae4042f&t=62d58900" /> 电路中的静态工作点I<sub>DQ</sub>和U<sub>GSQ</sub>之值”相关的问题
第1题

A、A.①是N沟道增强&nbsp;&nbsp;B、B.②是P沟道增强&nbsp;&nbsp;C、C.③是P沟道耗尽&nbsp;&nbsp;D、D.④是P沟道耗尽&nbsp;&nbsp;

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第2题

A、效应晶体组成电路&nbsp;&nbsp;B、P和N效应互补组成电路&nbsp;&nbsp;C、P效应组成电路&nbsp;&nbsp;D、N效应组成电路&nbsp;&nbsp;

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第3题

A、P沟道&ensp;&ensp;增强&nbsp;&nbsp;B、N沟道&ensp;&ensp;增强&nbsp;&nbsp;C、P沟道&ensp;&ensp;耗尽&nbsp;&nbsp;D、N沟道&ensp;&ensp;耗尽&nbsp;&nbsp;

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第4题

A、P沟道耗尽MOS&nbsp;&nbsp;B、N沟道增强MOS&nbsp;&nbsp;C、P沟道增强MOS&nbsp;&nbsp;D、N沟道耗尽MOS&nbsp;&nbsp;

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第5题

A、N沟道JFET&nbsp;&nbsp;B、增强~AIPMOS&nbsp;&nbsp;C、耗尽NMOS&nbsp;&nbsp;D、耗尽PMOS&nbsp;&nbsp;

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第6题

A、A.MOS和MNS&nbsp;&nbsp;B、B.N沟道和P沟道&nbsp;&nbsp;C、C.增强耗尽&nbsp;&nbsp;D、D.NPN和PNP&nbsp;&nbsp;

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第7题

A、A.NPN和PNP&nbsp;&nbsp;B、B.增强效应耗尽效应&nbsp;&nbsp;C、C.N沟道效应和P沟道效应&nbsp;&nbsp;D、D.晶体效应&nbsp;&nbsp;

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第8题

A、N沟道耗尽&nbsp;&nbsp;B、N沟道增强&nbsp;&nbsp;C、P沟道增强&nbsp;&nbsp;D、P沟道耗尽&nbsp;&nbsp;

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第9题

A、N沟道和P沟道效应&nbsp;&nbsp;B、NPN和PNP效应&nbsp;&nbsp;C、MOS和MNS&nbsp;&nbsp;D、结构和绝缘栅效应&nbsp;&nbsp;

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