A、N型
B、P型
C、本征型
D、耗尽型
A、半导体器件的单向导电性 B、半导体器件的电容效应 C、半导体器件的击穿特性 D、半导体器件的温度敏感性
A、不带电的 B、带正点的 C、带负电的
A、N型半导体掺入5价元素,P型半导体掺入3价元素 B、N型半导体掺入3价元素,P型半导体掺入5价元素 C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同,但接头不同 D、N型半导体的空穴过剩,P型半导体的空穴不
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