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【填空题】

在P型衬底上画nmos器件时需要在P型衬底上加（），并用金属线把这个（）与P型衬底内的（）电位相连接。

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第1题

[单选题] NMOS器件的衬底是（）型半导体。

A、N型  B、P型  C、本征型  D、耗尽型  

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第2题

[判断题] 对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。

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第3题

[填空题] P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

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第4题

[填空题] 在nwell上画pmos器件时需要在nwell上加（），并用金属线把这个（）与nwell内的（）电位相连接。

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第5题

[多选题] 下列哪些属于ERC错误的有（）

A、浮动衬底  B、P衬底接到GND上  C、N井接到GND上  D、电路短路  

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第6题

[判断题] NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。

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第7题

[单选题] NMOS源漏的掺杂类型分别为（）

A、P+、P+  B、P+，N+  C、N+，N+  D、N+，P+  

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第8题

[单选题] NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。

A、P阱，P沟  B、P阱、N沟  C、N阱、N沟  D、N阱、P沟  

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第9题

[单选题] 在给定温度下，当p→0时，实际气体的逸度与压力的正确关系式应为（）

A、在p→0时，f〈p  B、在p→0时，f/p=1  C、在p→0时，f/p〉1  D、在p→0时，f/p〈1  

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