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更多“制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。”相关的问题
第8题
A、A.NPN型及PNP型晶体管 B、B.N型晶体管 C、C.P型晶体管 D、D.PNP晶体管
第9题
A、均为电压控制 B、均为电流控制 C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制 D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
