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【判断题】

离子注入的能量远低于离子刻蚀和离子溅射沉积。

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第1题

[] 离子束加工时，由于离子质量大，当速度高、能量大时，垂直撞击时离子可注入工件材料内部，称（）。当速度低、能量小时，离子可以溅射镀覆在工件表面，称（）。当能量速度（）而倾斜撞击工件时，可将工件表面的分子，原子撞击出去，一层一层的剥离下来，称为（）加工或（）加工。

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第2题

[判断题] 离子溅射镀膜与离子镀过程原理是一样的。

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第3题

[] 下列不属于离子束加工技术的是（）。

A、A.离子束刻蚀 B、B.离子束焊接 C、C.离子注入技术 D、D.离子束镀膜技术

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第4题

[简答题] 简述溅射与离子束铣蚀。

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第5题

[] 盐桥内所用电解质溶液，必须（）。

A、A.正离子迁移速率远大于负离子迁移速率 B、B.正离子迁移速率远小于负离子迁移速率 C、C.正、负离子迁移速率相近

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第6题

[] 试样镀膜的方法没有以下哪一项（）

A、A.真空镀膜 B、B.离子溅射镀膜 C、C.化学镀膜 D、D.氧化镀膜

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第7题

[单选题] 现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）

A、扩散 B、化学机械抛光 C、刻蚀 D、离子注入

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第8题

[单选题] 在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。

A、刻蚀 B、离子注入 C、光刻 D、金属化

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第9题

[填空题] 银离子的杀菌机理包括三种：银离子破坏（）：通透性增加，细菌死亡；银离子破坏（），不能产生能量，细菌死亡；银离子破坏（），阻止伤口细菌菌落形成。

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