【单选题】
现代集成电路制造工艺中,主流掺杂技术为()
A、扩散
B、化学机械抛光
C、刻蚀
D、离子注入
A、扩散
B、化学机械抛光
C、刻蚀
D、离子注入
A、集成电路中元器件的性能比较一致,对称性好,适于作差动放大电路 B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片,且工艺简单,故集成电路中三极管用得多,电阻用得少 C、集成电路中的电容是用PN结的结电容,一般小于100PF D、集成电路中的三极管是低频小功率管 E、集成电路中的二极管是高性能管