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【单选题】
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A、温度
B、掺杂工艺
C、掺杂浓度
D、晶格缺陷
查看正确答案
更多“杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。”相关的问题
第1题
[单选题] 在
杂质
半
导体
中
多数
载
流子
的
浓度
主要
取
决于
杂质
浓度
,而少数
载
流子
的
浓度
则与()有很大关系。
A、温度 B、掺杂工艺 C、
杂质
浓度
D、晶体缺陷
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第2题
[单选题] 在
杂质
半
导体
中
,
多数
载
流子
的
浓度
取
决于
()。
A、晶体缺陷 B、温度 C、
杂质
浓度
D、掺杂工艺
点击查看答案
第3题
[] 在N型
杂质
半
导体
中
,
多数
载
流子
是(),少数
载
流子
是()。
点击查看答案
第4题
[] 在P型
杂质
半
导体
中
,
多数
载
流子
是(),少数
载
流子
是()。
点击查看答案
第5题
[判断题] 在
杂质
半
导体
中
,
杂质
饱和电离区
载
流子
的
主要
来源是本征激发
的
载
流子
。
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第6题
[] 本征
半
导体
中
,若掺入微量
的
五价元素,则形成()型
半
导体
,其
多数
载
流子
是电子;若掺入微量
的
三价元素,则形成P型
半
导体
,其
多数
载
流子
是()。
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第7题
[判断题]
半
导体
中
多数
载
流子
的
浓度
是由掺杂
浓度
决定
的
点击查看答案
第8题
[判断题] 在N型
半
导体
中
,电子是少数
载
流子
,空穴是
多数
载
流子
。
点击查看答案
第9题
[填空题] N型
半
导体
中
多数
载
流子
是(),少数
载
流子
是()。
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