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【填空题】

在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第1题

[] 在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第2题

[判断题] 在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。

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第3题

[填空题] N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第4题

[] 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。

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第5题

[判断题] N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。

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第6题

[判断题] N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

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第7题

[判断题] N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

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第8题

[判断题] 在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

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第9题

[单选题] 关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）

A、自由电了是多数载流子  B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极  C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体  D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体  

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