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【判断题】

在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

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第1题

[] 在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第2题

[] 在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第3题

[单选题] 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、晶体缺陷

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第4题

[填空题] 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

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第5题

[] 下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）

A、A.仅自由电子是载流子 B、B.仅空穴是载流子 C、C.自由电子和空穴都是载流子 D、D.三价杂质离子也是载流子

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第6题

[单选题] 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

A、晶体缺陷 B、温度 C、杂质浓度 D、掺杂工艺

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第7题

[单选题] 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）

A、电子载流子 B、空穴载流子 C、电子载流子和空穴载流子

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第8题

[单选题] 在P型半导体中多数载流子是（）。

A、电子 B、离子 C、空穴 D、杂质

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第9题

[] 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。

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