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【单选题】

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

A、温度

B、掺杂工艺

C、杂质浓度

D、晶体缺陷

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第1题

[单选题] 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

A、晶体缺陷 B、温度 C、杂质浓度 D、掺杂工艺

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第2题

[单选题] 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A、温度 B、掺杂工艺 C、掺杂浓度 D、晶格缺陷

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第3题

[] 在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第4题

[] 在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第5题

[判断题] 在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

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第6题

[] 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。

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第7题

[判断题] 在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。

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第8题

[填空题] 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

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第9题

[判断题] 半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的

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