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【简答题】

简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。

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第1题

[填空题] 光刻的图形曝光方式有：接触式曝光、接近式曝光和（）曝光。

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第2题

[简答题] 简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

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第3题

[判断题] 先进集成电路加工中，主要采用投影式光刻曝光技术。

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第4题

[简答题] 列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术。

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第5题

[判断题] 集成电路制造需要在告别净化环境下进行，而光刻区对净化级别要求最高，如普通制造环境为1000级，则光刻区的净化环境则为10000级。

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第6题

[] 简述有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域。

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第7题

[简答题] 简述光刻工艺的8个基本步骤。

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第8题

[] 简述几种常见的光刻方法。

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第9题

[简答题] 简述光刻的工艺过程。

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