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【简答题】

什么是导带？

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第1题

[简答题] 什么是满带、导带和禁带？

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第2题

[简答题] 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：（1）禁带宽度；（2）导带底电子有效质量；（3）价带顶电子有效质量；（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

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第3题

[简答题] 某种金属的导带底部的有效质量倒数张量为其中αyz=αzy。（1）求有效质量张量。（2）确定导带底部附近的能带。

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第4题

[简答题] 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

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第5题

[] 解释导带、满带、价带和带隙。

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第6题

[简答题] 金属铋的导带底部有效质量倒数张量为

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第7题

[简答题] 已知ND=1.69×1018cm3，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？

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第8题

[填空题] 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。

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第9题

[简答题] 已知带状线介质厚度b=2mm，金属导带厚度t=0.1mm，宽度W=1.7mm，计算聚四氟乙烯（εr=2.1）敷铜带状线的特性阻抗。

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