A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、晶体缺陷
A、杂质电离 B、杂质补偿 C、载流子复合 D、载流子迁移
A、与温度无关,与杂质浓度无关 B、与温度有关,与杂质浓度有关 C、与温度无关,与杂质浓度有关 D、与温度有关,与杂质浓度无关
A、晶体缺陷 B、温度 C、杂质浓度 D、掺杂工艺
A、A.仅自由电子是载流子 B、B.仅空穴是载流子 C、C.自由电子和空穴都是载流子 D、D.三价杂质离子也是载流子
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