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【判断题】

NMOS源漏城需进行N+型掺杂。

更多“NMOS源漏城需进行N+型掺杂。”相关的问题
第1题

A、P+、P+  B、P+,N+  C、N+,N+  D、N+,P+  

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第5题

A、N  B、P  C、本征  D、耗尽  

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第6题

A、掺杂  B、能量击发  C、掺杂与能量击发  

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第7题

A、N半导体掺入5价元素,P半导体掺入3价元素  B、N半导体掺入3价元素,P半导体掺入5价元素  C、N半导体和P半导体的掺杂相同,但接头不同  D、N半导体的空穴过剩,P半导体的空穴不  

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第8题

A、N沟道JFET  B、增强~AIPMOS管  C、耗尽NMOS管  D、耗尽PMOS管  

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