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【填空题】

当采用耗尽近似时,由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越()。

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第1题

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第5题

A、N沟道JFET  B、增强~AIPMOS管  C、耗尽NMOS管  D、耗尽PMOS管  

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第6题

A、P沟道耗尽MOS管  B、N沟道增强MOS管  C、P沟道增强MOS管  D、N沟道耗尽MOS管  

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第7题

A、耗尽MOS  B、增强MOS  C、结  

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第8题

A、P沟道  增强  B、N沟道  增强  C、P沟道  耗尽  D、N沟道  耗尽  

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第9题

A、绝缘栅  B、耗尽  C、增强  

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