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【简答题】
简述部分离子注入工艺的作用。
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第1题
[简答题]
简述
离子
注入
工艺
相对于热扩散
工艺
的
优缺点。
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第2题
[简答题]
简述
在先进
的
CMOS
工艺
中,
离子
注入
的
应用。
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第3题
[简答题]
离子
注入
后进行退火
工艺
的
原因是什么?
点击查看答案
第4题
[简答题]
离子
注入
通常在什么
工艺
之后?
点击查看答案
第5题
[填空题] 在电子工业中,
离子
注入
成为了微电子
工艺
中
的
一种重要
的
(),也是控制MOSFET阈值电压
的
一个重要手段。
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第6题
[简答题]
简述
离子
注入
效应。
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第7题
[简答题]
简述
离子
注入
退火目
的
与方法。
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第8题
[单选题] 现代集成电路制造
工艺
中,主流掺杂技术为()
A、扩散 B、化学机械抛光 C、刻蚀 D、
离子
注入
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第9题
[单选题] 在较先进
的
集成电路制造
工艺
中,通常采()来实现掺杂。
A、刻蚀 B、
离子
注入
C、光刻 D、金属化
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