A、在室温下,高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s,设电子的有效质量为mn=3×10-29g,求: B、(1)热运动速度平均值 C、(2)平均自由时间 D、(3)平均自由路程 E、(4)在外加电场为10/Vcm时的漂移速度
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