搜题

【问答题】

<p> 在室温下，高纯锗的电子迁移率μ<sub>n</sub>=3900cm<sup>2</sup>/v˙s，设电子的有效质量为m<sub>n</sub>=3×10<sup>-29</sup>g，求：<br /> （1）热运动速度平均值&ensp;<br /> （2）平均自由时间<br /> （3）平均自由路程&ensp;<br /> （4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度</p>

A、在室温下，高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s，设电子的有效质量为mn=3×10-29g，求：

B、（1）热运动速度平均值

C、（2）平均自由时间

D、（3）平均自由路程

E、（4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度

查看正确答案

更多“<p> 在室温下，高纯锗的电子迁移率μ<sub>n</sub>=3900cm<sup>2</sup>/v˙s，设电子的有效质量为m<sub>n</sub>=3×10<sup>-29</sup>g，求：<br /> （1）热运动速度平均值&ensp;<br /> （2）平均自由时间<br /> （3）平均自由路程&ensp;<br /> （4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度</p>”相关的问题

第1题

[简答题] 在室温下，锗的有效态密度Nc=1.05×1019cm-3，NV=3.9×1018cm-3，试求锗的载流子有效质量m*n、m*m>pm>。

点击查看答案

第2题

[简答题] 已知ND=1.69×1018cm3，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？

点击查看答案

第3题

[简答题] 室温下本征锗的电阻率为47Ω˙cm，求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴尝试，设杂质全部电离，锗原子的浓度为4.4×1022/cm3，求该掺杂锗材料的电阻率，μn=3600cm2/v˙s，μm>pm>=1700cm2/v˙s，ni=2.5×1013/cm3。

点击查看答案

第4题

[简答题] 室温下．本征锗的电阻率为94Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022/cm3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn＝3600cm2/V·s，μm>pm>＝1700cm2/V·s且认为不随掺杂而变化。ni＝2．5×1013/cm3。

点击查看答案

第5题

[] 在室温下，锗的有效态密度Nc=1.05×1019cm-3，NV=3.9×1018cm-3，计算77K时的Nc和NV。

点击查看答案

第6题

[] 计算本征硅在室温时的电阻率。设电子迁移率和空穴迁移率分别为1350cm2/v˙s，和500cm2/v˙s。当掺入百万分之一的砷后，设杂质全部电离，计算其电导率比本征硅的电导率增大多少倍？ni=1.5×1013/cm3。

点击查看答案

第7题

[判断题] 在磁感应强度一定的情况下，电子迁移率越低，磁阻效应越明显。

点击查看答案

第8题

[简答题] 铜的密度为ρm=8.95g/cm3。室温下的电阻率为ρ=1.55×10-6Ω·cm。计算：（1）导电电子浓度；（2）驰豫时间；（3）费米能量EF，费米速度vF；（4）费米面上电子的平均自由程lF；（5）等离子体的振荡频率ωm>pm>。

点击查看答案

第9题

[] 铜的晶格常数为0.362nm，设定一个铜原子1个自由电子，计算其自由电子浓度（1立方米中的电子数目）。300K温度下铜的电导率σ＝5.9×107Ω-1m-1，依据σ＝nq2τ/m，计算电子与晶格原子碰撞的平均寿命τ为多少，根据σ＝nqμ计算电子的迁移率μ为多少？如果电场强度E=100V/m，计算电子的速度υD＝Eμ，并和υF进行比较。

点击查看答案

账号：登录

TOP

请使用微信扫码支付

订单号：
遇到问题请联系在线客服