搜题

【简答题】

室温下本征锗的电阻率为47Ω˙cm，求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每10<sup>6</sup>个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴尝试，设杂质全部电离，锗原子的浓度为4.4×10<sup>22</sup>/cm<sup>3</sup>，求该掺杂锗材料的电阻率，μ<sub>n</sub>=3600cm<sup>2</sup>/v˙s，μ<sub>p</sub>=1700cm<sup>2</sup>/v˙s，n<sub>i</sub>=2.5×10<sup>13</sup>/cm<sup>3</sup>。

查看正确答案

更多“室温下本征锗的电阻率为47Ω˙cm，求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每10<sup>6</sup>个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴尝试，设杂质全部电离，锗原子的浓度为4.4×10<sup>22</sup>/cm<sup>3</sup>，求该掺杂锗材料的电阻率，μ<sub>n</sub>=3600cm<sup>2</sup>/v˙s，μ<sub>p</sub>=1700cm<sup>2</sup>/v˙s，n<sub>i</sub>=2.5×10<sup>13</sup>/cm<sup>3</sup>。”相关的问题

第1题

[简答题] 室温下．本征锗的电阻率为94Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022/cm3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn＝3600cm2/V·s，μp＝1700cm2/V·s且认为不随掺杂而变化。ni＝2．5×1013/cm3。

点击查看答案

第2题

[简答题] 若把银看成是具有球形费米面的单价金属，已知银的密度为ρm＝10.5g/cm3，银的原子量AAg=107.87g/mol，室温下直流电阻率为ρR＝1.61*10-6Ω·cm，20K时的电阻率为ρL＝0.038*10-6Ω·cm.计算以下各量：（1）导电电子浓度。（2）室温和低温时的弛豫时间。（3）费米能量EF，费米速度vF。（4）室温下电子的平均自由程lR。（5）低温下电子的平均自由程lL。（6）费米面的横截面积SF。

点击查看答案

第3题

[] 计算本征硅在室温时的电阻率。设电子迁移率和空穴迁移率分别为1350cm2/v˙s，和500cm2/v˙s。当掺入百万分之一的砷后，设杂质全部电离，计算其电导率比本征硅的电导率增大多少倍？ni=1.5×1013/cm3。

点击查看答案

第4题

[简答题] 在掺入硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温下电阻率为2.84Ω˙cm，已知所掺硼的浓度Na1=101610/cm3，硼的电离能Ea1-Ev=0.045eV，铟的电离能Ea2-Ev=0.16eV，求样品中铟的浓度。Nv=1.04×1019/cm3，μp=200cm2/v˙s。

点击查看答案

第5题

[单选题] 已知某含油气岩石的电阻率为8Ω·m，该岩石完全含水时的电阻率为1.6Ω·m，则该岩石的地层电阻率指数为（）。

A、1.6 B、8 C、5 D、2

点击查看答案

第6题

[简答题] 铜的密度为ρm=8.95g/cm3。室温下的电阻率为ρ=1.55×10-6Ω·cm。计算：（1）导电电子浓度；（2）驰豫时间；（3）费米能量EF，费米速度vF；（4）费米面上电子的平均自由程lF；（5）等离子体的振荡频率ωp。

点击查看答案

第7题

[简答题] 已知本征锗的电导率在310K时为3.56×10-2S/cm，在273K时为0.42×10-2S/cm，一个n型锗样品，在上述两个温度时，其施主杂质浓度ND=1015/cm3。计算在上述两个温度n型锗样品的电导率。μn=3600cm2/v˙s，μp=1700cm2/v˙s。

点击查看答案

第8题

[简答题] 用直径d＝4mm，电阻率ρ＝1.2×10－6Ω·m的电阻丝，绕制成电阻R为16.2Ω的电阻炉，求电阻丝的长度L？

点击查看答案

第9题

[简答题] 在室温下，锗的有效态密度Nc=1.05×1019cm-3，NV=3.9×1018cm-3，试求锗的载流子有效质量m*n、m*p。

点击查看答案

账号：登录

TOP

请使用微信扫码支付

订单号：
遇到问题请联系在线客服