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【简答题】

在室温下，锗的有效态密度N<sub>c</sub>=1.05×10<sup>19</sup>cm<sup>-3</sup>，N<sub>V</sub>=3.9×10<sup>18</sup>cm<sup>-3</sup>，试求锗的载流子有效质量m<sup></sup><sub>n</sub>、m<sup></sup><sub>p</sub>。

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第1题

[] 在室温下，锗的有效态密度Nc=1.05×1019cm-3，NV=3.9×1018cm-3，计算77K时的Nc和NV。

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第2题

[] 在室温下，高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s，设电子的有效质量为mn=3×10-29g，求：（1）热运动速度平均值&ensp; （2）平均自由时间（3）平均自由路程&ensp; （4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度

A、在室温下，高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s，设电子的有效质量为mn=3×10-29g，求：  B、（1）热运动速度平均值&ensp;  C、（2）平均自由时间  D、（3）平均自由路程&ensp;  E、（4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度  

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第3题

[简答题] 一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度NA=1×1015cm2，室温下测其费米能级，恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为n0=5×1015cm3，已知室温下硅的本征载流子密度为n=1.5×1015cm3，试求：（1）平衡少子的密度&ensp; （2）材料中施主杂质的密度（3）电离杂质和中性杂质的密度

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第4题

[简答题] 室温下本征锗的电阻率为47Ω˙cm，求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴尝试，设杂质全部电离，锗原子的浓度为4.4×1022/cm3，求该掺杂锗材料的电阻率，μn=3600cm2/v˙s，μp=1700cm2/v˙s，ni=2.5×1013/cm3。

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第5题

[简答题] 已知硅的导带及其价带的有效态密度Nn，Np在室温（300K）时分别为2.8×1019cm-3，1.15×1019cm-3。试计算电子的有效质量mn及空穴的有效质量mp。已知h=6.63×10-34Js，kB=1.38×10-23J/K。

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第6题

[简答题] 室温下．本征锗的电阻率为94Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022/cm3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn＝3600cm2/V·s，μp＝1700cm2/V·s且认为不随掺杂而变化。ni＝2．5×1013/cm3。

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第7题

[单选题] 质量为m的小球在绳索和光滑斜面的约束下处于静止（如图所示），分析图示三种情况下斜面对小球的支持力的大小，经对比，它们之间的关系应是（）。

A、N<sub>1sub>=N<sub>2sub>=N<sub>3sub>  B、N<sub>1sub>＞N<sub>2sub>＞N<sub>3sub>  C、N<sub>2sub>＞N<sub>1sub>＞N<sub>3sub>  D、N<sub>3sub>&ensp;=N<sub>1sub>＞N<sub>2sub>  

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第8题

[简答题] 已知ND=1.69×1018cm3，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？

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第9题

[] 在体积为V的立方形容器中有极大数目的三维平动子，其h28mV3/2=0.1KT，式计算该系统在平衡情况下，的平动能级上粒子的分布数n与基态能级的分布数n0之比。

A、在体积为V的立方形容器中有极大数目的三维平动子，其h²8mV^3/2=0.1KT，式计
算该系统在平衡情况下，c="https://img.ppkao.com/2018-08/wangjing/2018082910243161655.jpg" />的平动能级上粒子的分布数n与基态能级的分布数n<sub>0sub>之比。  

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