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提问人:网友 发布时间:
【问答题】

计算本征硅在室温时的电阻率。设电子迁移率和空穴迁移率分别为1350cm<sup>2</sup>/v˙s,和500cm<sup>2</sup>/v˙s。当掺入百万分之一的砷后,设杂质全部电离,计算其电导率比本征硅的电导率增大多少倍?n<sub>i</sub>=1.5×10<sup>13</sup>/cm<sup>3</sup>。

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第5题

A、室温下,高纯锗电子迁移μn=3900cm2/v˙s,电子有效质量为mn=3×10-29g,求:  B、(1)热运动速度平均值   C、(2)平均自由间  D、(3)平均自由路程   E、(4)外加电场为10/Vcm漂移速度  

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