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【简答题】

设一维晶体的电子能带可以写出 <img src="https://nimg.ppkao.com/2018-10/chenbin/201810171316479413.jpg?sign=d966ca23c07eefc8176ebb49ad649b77&t=62d1c07f" />

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第1题

[简答题] 已知一维晶体的电子能带可写成，式中a为晶格常数。求（1）能带的宽度（2）电子波矢k状态时的速度（3）能带底部和顶部电子的有效质量

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第2题

[简答题] 对于晶格常数为2.5×10-20m 的一维晶体，当外加102/Vm和107/Vm电场时，分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

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第3题

[简答题] 设晶体中某一能带，从E=E0到E=EF（费米能），电子的能带满足其中，m1，m2，m3均为大于零的常数。（1）求电子的态密度（2）证明T=0K时，费米面处的态密度可以表示成这里，n为这个能带内，单位体积电子数密度。

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第4题

[] 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

A、设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：

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第5题

[简答题] 由相同原子组成的一维原子链，每个原胞中有两个原子，原胞长度为a，原胞内两个原子的相对距离为b。（1）根据紧束缚近似，只计入近邻相互作用，写出原子s态对应的晶体波函数的形式；（2）求出相应s能带得E（k）函数。

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第6题

[简答题] 设一一维晶格的电子能带可写成：E（k）＝（ћ2/ma2）·[7/8-coska+（1/8）cos2ka]其中a为晶格常数，求（1）能带宽度，（2）电子在波矢状态k时的速度，（3）能带底部和顶部电子的有效质量。

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第7题

[简答题] 设一一维晶格的电子能带可写成：E（k）＝（ћ2/ma2）·[7/4－2coska＋（1/4）cos2ka]其中a为晶格常数，求（1）能带宽度，（2）电子在波矢状态时的速度，（3）能带底部和顶部电子的有效质量。

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第8题

[简答题] 如只考虑最近邻的相互作用，用紧束缚近似方法可以得到简立方晶体中s态电子能带为 E（k）=E0-A-2J（cos2πkx+cos2πky+cos2πkz）试求：（1）能带宽度。（2）能带底部和能带顶部的电子有效质量。

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第9题

[简答题] 已知在紧束缚近似下，体心立方晶体s态电子构成的能带为：（1）求能带宽度，（2）求电子在能带中的运动速度，求带底和带顶的速度，（3）求电子的有效质量倒数张量，求带底和带顶的有效质量。

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