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【简答题】

简述影响化学气相沉积制备材料质量的几个主要因素。

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第1题

[简答题] 影响化学气相沉积制备材料质量有哪几个主要因素？

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第2题

[单选题] 集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）

A、溅射物理气相沉积 B、蒸发物理气相沉积 C、等离子增强化学气相沉积 D、低压化学气相沉积

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第3题

[单选题] 利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。

A、物理气相沉积（PVD） B、物理气相沉积（CVD） C、化学气相沉积（VCD） D、化学气相沉积（CVD）

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第4题

[判断题] 利用化学气相沉积法和物理气相沉积法均可以获得非晶硅膜。

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第5题

[简答题] 简述化学气相沉积工艺过程的要点。

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第6题

[简答题] 简述化学气相沉积法的步骤。

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第7题

[简答题] 简述化学气相沉积的特点。

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第8题

[] 简述化学气相沉积（CVD）的优点。

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第9题

[简答题] 简述化学气相沉积原理及其应用。

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