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【填空题】

PN结反向偏置时，应该是N区的电位比P区的电位（）。

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第1题

[判断题] pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。

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第2题

[单选题] 晶体管工作在饱和区的条件是（）。

A、发射结正向偏置，集电结反向偏置  B、发射结反向偏置，集电结正向偏置  C、发射结正向偏置，集电结正向偏置  D、发射结反向偏置，集电结反向偏置  

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第3题

[单选题] PN结呈现正向导通的条件是：（）

A、P区电位低于N区电位  B、N区电位低于P区电位  C、P区电位等于N区电位  D、都不对  

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第4题

[判断题] 当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度大；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度小。

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第5题

[填空题] 当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

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第6题

[填空题] 当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。

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第7题

[判断题] PN结正向偏置时，电阻小，反向偏置时，电阻大。

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第8题

[] 反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

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第9题

[单选题] pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）

A、复合电流  B、漂移电流  C、扩散电流  D、漏电流  

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