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【单选题】

pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）

A、复合电流

B、漂移电流

C、扩散电流

D、漏电流

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第1题

[判断题] pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。

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第2题

[填空题] 当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

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第3题

[填空题] 当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

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第4题

[单选题] PN结正向偏置时，其内电场被（）

A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定

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第5题

[判断题] 当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度大；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度小。

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第6题

[判断题] 三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：发射结加正向电压，集电结加正向电压。

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第7题

[单选题] 晶体管工作在饱和区的条件是（）。

A、发射结正向偏置，集电结反向偏置 B、发射结反向偏置，集电结正向偏置 C、发射结正向偏置，集电结正向偏置 D、发射结反向偏置，集电结反向偏置

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第8题

[填空题] 当PN结外加正向电压时，PN结中的多子（）形成较大的正向电流。

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第9题

[判断题] PN结正向偏置时，电阻小，反向偏置时，电阻大。

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