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【判断题】

pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。

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第1题

[填空题] 当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

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第2题

[填空题] 当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

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第3题

[判断题] 当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度大；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度小。

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第4题

[填空题] 势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。

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第5题

[单选题] pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）

A、复合电流 B、漂移电流 C、扩散电流 D、漏电流

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第6题

[] 反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

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第7题

[单选题] 晶体管工作在饱和区的条件是（）。

A、发射结正向偏置，集电结反向偏置 B、发射结反向偏置，集电结正向偏置 C、发射结正向偏置，集电结正向偏置 D、发射结反向偏置，集电结反向偏置

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第8题

[单选题] 如工作在截止区时，三极管两个结的偏置是（）

A、发射结加正向电压，集电结加反向电压 B、发射结加反向电压，集电结加正向电压 C、发射结加反向电压，集电结加反向电压

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第9题

[填空题] PN结具有（）性，即加正向电压时，PN结（），加反向电压时，PN结（）。

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