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【填空题】

当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

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第1题

[填空题] 当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

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第2题

[判断题] pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。

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第3题

[判断题] 当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度大；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度小。

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第4题

[填空题] 势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。

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第5题

[填空题] 当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。

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第6题

[单选题] pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）

A、复合电流 B、漂移电流 C、扩散电流 D、漏电流

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第7题

[填空题] PN结具有（）性，即加正向电压时，PN结（），加反向电压时，PN结（）。

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第8题

[填空题] PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。

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第9题

[] PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。

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