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【单选题】

在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）

A、增大

B、减小

C、不变

D、先减小后增大

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第1题

[单选题] 当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。

A、积累 B、耗尽 C、导通 D、夹断

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第2题

[填空题] 在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。

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第3题

[判断题] MOS器件工作在亚阈值区，对于漏电流起决定作用的是扩散而不是漂移。

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第4题

[单选题] ‌短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压（），使PMOS器件的阈值电压（）。

A、升高；升高 B、升高；降低 C、降低；升高 D、降低；降低

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第5题

[填空题] 衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）

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第6题

[填空题] 晶体三极管是（）控制器件，用于放大时，工作在（）区；场效应管是（）控制器件，用于放大时，工作在（）区

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第7题

[填空题] 为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在（）状态。当器件的工作频率较高时，（）损耗会成为主要的损耗。

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第8题

[单选题] 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。

A、P沟道耗尽型MOS管 B、N沟道增强型MOS管 C、P沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管

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第9题

[填空题] 在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。

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