【判断题】
A、当时,漏极电流以有限速度下降,导致功率损耗或模拟信息的丢失 B、MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA常用于低功耗放大器、带隙基准设计 C、亚阈值区的跨导比饱和区(强反型区)跨导大,有利于实现大的放大倍数 D、MOS管由0增大到大于阈值电压,经历截止---弱反型---强反型,这是一个渐进的过程,故当捕获75.JPG"alt="捕获,仍有存在
A、当时,漏极电流以有限速度下降,导致功率损耗或模拟信息的丢失 B、MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA常用于低功耗放大器、带隙基准设计 C、亚阈值区的跨导比饱和区(强反型区)跨导大,有利于实现大的放大倍数 D、MOS管由0增大到大于阈值电压,经历截止---弱反型---强反型,这是一个渐进的过程,故当捕获75.JPG"alt="捕获,仍有存在
A、在亚声速区内,随着压力的降落,流速降低,密度降低,截面积逐渐增大 B、在亚声速区内,随着压力的降低,流速增加,密度升高,截面积逐渐缩小 C、在超声速区,随着压力降低,流速增加,截面积逐渐增大 D、在超声速区,随着压力降低,流速降低,截面积逐渐减小
A、在亚声速区内,随着压力的降落,流速降低,密度降低,截面积逐渐增大 B、在亚声速区内,随着压力的降低,流速增加,密度升高,截面积逐渐缩小 C、在超声速区,随着压力降低,流速增加,截面积逐渐增大 D、在超声速区,随着压力降低,流速降低,截面积逐渐减小
A、亚稳区具有不平衡状态的特征,是物相在理论上不能稳定存在,而实际上却能稳定存在的区域 B、在亚稳区内,物系不能自发产生新相 C、当有外来杂质存在时,或在外界能量影响下,也有可能在亚稳区内形成新相 D、在亚稳区内,没有外来杂质存在时,物系也可以自发产生新相